Формирование регулярной пористой структуры р-InP
Показана необходимость использования освещения образцов р-InP во время анодизации в растворе соляной кислоты для получения равномерного ансамбля пор на поверхности исследуемого кристалла. Определены оптимальные условия для формирования регулярной структуры пористого слоя фосфида индия р-типа. Получ...
Saved in:
Date: | 2010 |
---|---|
Main Authors: | , , |
Format: | Article |
Language: | Russian |
Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2010
|
Series: | Физическая инженерия поверхности |
Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98850 |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Cite this: | Формирование регулярной пористой структуры р-InP / Я.А. Сычикова, В.В. Кидалов, Г.А. Сукач // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 1. — С. 81–87. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |