Дослідження локальної будови нанорозмірної гетероструктури Sі(111)/Si₃N₄ (0001) на підставі комп’ютерногомоделювання
Багатошарові напівпровідникові структури, наприклад двошарова структура Sі(111)/Si₃N₄ (0001), представляють собою неоднорідні тіла як по перерізу, так і по площі. Внаслідок цього в наноелектронних виробах у процесі виготовлення виникають пружнімеханічні напруження, величина і характер розподілу...
Saved in:
| Date: | 2012 |
|---|---|
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2012
|
| Series: | Физическая инженерия поверхности |
| Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98927 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Дослідження локальної будови нанорозмірної гетероструктури Sі(111)/Si₃N₄ (0001) на підставі комп’ютерногомоделювання / О.Ю. Тарасова, Р.М. Балабай // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 1. — С. 42–46. — Бібліогр.: 5 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Summary: | Багатошарові напівпровідникові структури, наприклад двошарова структура Sі(111)/Si₃N₄
(0001), представляють собою неоднорідні тіла як по перерізу, так і по площі. Внаслідок цього в наноелектронних виробах у процесі виготовлення виникають пружнімеханічні напруження, величина
і характер розподілу яких значно впливають на електричні та інші характеристики приладів.
Тому при виготовленні інтегральних схем важливим є знання величини і характеру розподілу
механічних напружень у залежності від топологічних параметрів зразка. Результатами моделювання оцінена можливість існування різкої бездефектної границі Sі(111)/Si₃N₄ (0001) для шарів
розмірами порядку 2 нм. Розрахована карта механічних напружень в гетеропереході з боку
шару Si₃N₄ (0001), на основі якої визначено, що напруження мають розтягуючий характер і їх
максимум приходиться на границю розділу. |
|---|