Structural transformation in C/Si multilayer after annealing
Amorphous C/Si multilayers were prepared by DC magnetron sputtering technique and investigated by transmission electron microscopy and low-angle x-ray diffraction methods after annealing at 650 and 950 °C. The amorphous interlayers of 0.5 − 0.6 nm thick were found at C/Si and Si/C interfaces bein...
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2012
|
| Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98978 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Structural transformation in C/Si multilayer after annealing / I.O. Zhuravel, Ye.A. Bugayev, L.E. Konotopsky, E.M. Zubarev, V.A. Sevryukova, V.V. Kondratenko // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 3. — С. 314–318. — Бібліогр.: 13 назв. — англ. |