Влияние нейтронного облучения на процессы модуляции базовой области кремниевой p⁺nn⁺-структуры
Приведены результаты исследования влияния нейтронного облучения на характер зависимости емкости от запирающего напряжения кремниевой p⁺nn⁺-структуры. Под воздействием нейтронного облучения дозой 3⋅10¹⁵ н/см² обнаружено увеличение исходной толщины слоя объемного заряда p⁺n-перехода в два с поло...
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2013
|
| Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/99817 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Влияние нейтронного облучения на процессы модуляции базовой области кремниевой p⁺nn⁺-структуры / А.З. Рахматов // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 1. — С. 129–132. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Приведены результаты исследования влияния нейтронного облучения на характер зависимости
емкости от запирающего напряжения кремниевой p⁺nn⁺-структуры. Под воздействием
нейтронного облучения дозой 3⋅10¹⁵ н/см² обнаружено увеличение исходной толщины слоя
объемного заряда p⁺n-перехода в два с половиной раза, что объясняется образованием i-слоя
у границы с p⁺n-переходом. При этом достижение заданной напряженности электрического
поля после облучения достигается при напряжениях в два раза больших, в результате
уменьшается емкость структуры и время включения ограничительного диода. |
|---|