Electrical properties of n-SnS₂/n-CdIn₂Te₄ heterostructure
Using the method of deposition over the optical contact, the authors created nSnS2/n-CdIn₂Te₄ heterojunction and investigated temperature evolution of its currentvoltage characteristics under the forward bias U ≤ 3 V. Analyzing temperature dependence of the curves obtained, the main mechanisms of...
Gespeichert in:
| Datum: | 2010 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2010
|
| Schriftenreihe: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Electrical properties of n-SnS₂/n-CdIn₂Te₄ heterostructure / P.M. Gorley, Z.M. Grushka, O.G. Grushka, P.P. Gorley, I.I. Zabolotsky // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2010. — Т. 13, № 4. — С. 444-447. — Бібліогр.: 14 назв. — англ. |