Дискретные фотоприемники средневолнового ИК-диапазона спектра на основе HgCdTe
Разработана топология и технологические режимы изготовления дискретных фотодиодов (диаметр 0,5 1,5 мм) средневолнового инфракрасного диапазона спектра на базе эпитаксиальных слоев кадмий-ртуть-теллур (КРТ). Исследованы оптические, фотоэлектрические и вольт-амперные характеристики дискретных КРТ-фото...
Gespeichert in:
| Datum: | 2017 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , , , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2017
|
| Schriftenreihe: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Schlagworte: | |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Дискретные фотоприемники средневолнового ИК-диапазона спектра на основе HgCdTe / З.Ф. Цибрий, Е.В. Андреева, М.В. Апатская, С.Г. Бунчук, Н.В. Вуйчик, А.Г. Голенков, Н.В. Дмитрук, В.В. Забудский, И.А. Лысюк, Е.В. Свеженцова, М.И. Смолий, Ф.Ф. Сизов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2017. — № 6. — С. 8-13. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |