Effective thickness of the planar detector in measurements of electrons energy loss

An experimental method of determining the active region thickness of Si planar detector was used. The method based on the dependence the depletion layer thickness from voltage applied to the detector (U = 0...60 V ). The electron energy loss spectra emitted by ⁹⁰Sr -⁹⁰Y in silicon planar detector we...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2017
Hauptverfasser: Deiev, O.S., Kiprich, S.K., Vasilyev, G.P., Yalovenko, V.I., Ovchinnik, V.D., Shulika, M.Y.
Format: Artikel
Sprache:English
Veröffentlicht: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2017
Schriftenreihe:Вопросы атомной науки и техники
Schlagworte:
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Effective thickness of the planar detector in measurements of electrons energy loss / O.S. Deiev, S.K. Kiprich, G.P. Vasilyev, V.I. Yalovenko, V.D. Ovchinnik, M.Y. Shulika // Физика низких температур. — 2017. — № 3. — С. 45-49. — Бібліогр.: 14 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine