Особливості зміни структури й електрофізичних характеристик n-Si під впливом різних режимів термообробки
Досліджено кристали n-кремнію, леговані домішкою фосфору як традиційним металургійним способом (у процесі вирощування через розплав), так і методом ядерної трансмутації (перетворення ізотопів кремнію у процесі захоплення ними теплових нейтронів). Принципова відмінність трансмутаційного легування ві...
Saved in:
| Date: | 2020 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2020
|
| Series: | Доповіді НАН України |
| Subjects: | |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Особливості зміни структури й електрофізичних характеристик n-Si під впливом різних режимів термообробки / Г.П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. — 2020. — № 5. — С. 42-51. — Бібліогр.: 14 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Summary: | Досліджено кристали n-кремнію, леговані домішкою фосфору як традиційним металургійним способом
(у процесі вирощування через розплав), так і методом ядерної трансмутації (перетворення ізотопів кремнію у процесі захоплення ними теплових нейтронів). Принципова відмінність трансмутаційного легування від металургійного способу легування полягає в тому, що легувальні домішки не вводяться у вихідний
матеріал ззовні, а утворюються в процесі опромінення безпосередньо з атомів матеріалу, який легують.
З метою відпалу радіаційних дефектів та активації атомів фосфору-31, які в об'ємі кремнію виявляють
донорні властивості тільки у вузлах ґратки, трансмутаційно легований кремній попередньо піддавали технологічному відпалу за температури 850 °С протягом 2 год, а вже потім — термічним обробкам з подальшим охолодженням із різними швидкостями.
Виявлено вплив як тривалості термічного відпалу, так і швидкості охолодження від температури
відпалу до кімнатної на зміну структури й електрофізичних характеристик кристалів n-Si 〈P 〉, легованих через розплав і методом ядерної трансмутації. Виявлено появу дислокацій у трансмутаційно легованих
кристалах Si після високотемпературного відпалу протягом 2 год і подальшого швидкого охолодження.
Встановлено, що високотемпературний відпал протягом 72 год зразків Si, незалежно від способу легування домішкою фосфору, сприяє генерації глибоких донорних центрів, як при повільному, так і при швидкому охолодженні, й істотно знижує концентрацію носіїв заряду. |
|---|