Особливості фізичних процесів формування кремнієвих поверхнево-бар’єрних структур
Напівпровідникові детектори займають чільне місце серед приладів ядерної спектрометрії і використовуються для дослідження спектрального складу, інтенсивності, просторового й кутового розподілів іонізуючих частинок. Найбільш привабливим матеріалом для виготовлення детекторів є кремній завдяки розвине...
Saved in:
| Date: | 2024 |
|---|---|
| Main Authors: | , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2024
|
| Series: | Доповіді НАН України |
| Subjects: | |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Особливості фізичних процесів формування кремнієвих поверхнево-бар’єрних структур / Г.П. Гайдар, С.В. Бердниченко, В.Г. Воробйов, В.І. Кочкін, В.Ф. Ластовецький, П.Г. Литовченко // Доповіді Національної академії наук України. — 2024. — № 3. — С. 35-43. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Summary: | Напівпровідникові детектори займають чільне місце серед приладів ядерної спектрометрії і використовуються для дослідження спектрального складу, інтенсивності, просторового й кутового розподілів іонізуючих частинок. Найбільш привабливим матеріалом для виготовлення детекторів є кремній завдяки розвиненій кремнієвій технології і можливості створювати не тільки дозиметричні й радіометричні, але й спектрометричні детектори. Напівпровідникові детектори на основі Si застосовуються для реєстрації заряджених частинок, а також γ-квантів, у тому числі з енергією менше 100 кеВ, та рентгенівського випромінювання. Узагальнено результати комплексного дослідження властивостей вихідного високоомного n-Si з метою вдосконалення технології виготовлення кремнієвих спектрометричних напівпровідникових детекторів із наперед заданими параметрами. Для плоско-паралельного травлення кристалів кремнію розроблено методи хімічної обробки поверхні Si шляхом підбору складу травників на основі високочистих кислот. Запропоновано метод прискореного формування поверхнево-бар’єрних структур унаслідок прикладання зовнішнього електричного поля на етапі їх формування. Визначено умови витримки структур для оптимального формування якісних і стабільних поверхнево-бар’єрних p—n-переходів. На основі оптимізованої поверхнево-бар’єрної технології з використанням високоомного n-Si великого діаметра розроблено dE/dx-детектори з робочою площею 8 см² і діапазоном товщин чутливої області від десятків мікрон до міліметра, з тонкими вхідними і вихідними «вікнами» й роздільною здатністю за енергіями не гірше 100 кеВ. Одержані детектори можуть бути використані в складі телескопів в ядерних експериментах за участю важких іонів при низьких виходах продуктів реакцій. |
|---|