Особливості фізичних процесів формування кремнієвих поверхнево-бар’єрних структур
Напівпровідникові детектори займають чільне місце серед приладів ядерної спектрометрії і використовуються для дослідження спектрального складу, інтенсивності, просторового й кутового розподілів іонізуючих частинок. Найбільш привабливим матеріалом для виготовлення детекторів є кремній завдяки розвине...
Gespeichert in:
Datum: | 2024 |
---|---|
Hauptverfasser: | Гайдар, Г.П., Бердниченко, С.В., Воробйов, В.Г., Кочкін, В.І., Ластовецький, В.Ф., Литовченко, П.Г. |
Format: | Artikel |
Sprache: | Ukrainian |
Veröffentlicht: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2024
|
Schriftenreihe: | Доповіді НАН України |
Schlagworte: | |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Zitieren: | Особливості фізичних процесів формування кремнієвих поверхнево-бар’єрних структур / Г.П. Гайдар, С.В. Бердниченко, В.Г. Воробйов, В.І. Кочкін, В.Ф. Ластовецький, П.Г. Литовченко // Доповіді Національної академії наук України. — 2024. — № 3. — С. 35-43. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
-
Електричні і фотоелектричні властивості поверхнево-бар'єрних структур МoN/n-Si
von: Солован, М.М., et al.
Veröffentlicht: (2019) -
Електричні і фотоелектричні властивості поверхнево-бар'єрних структур МoN/n-Si
von: Солован, М.М., et al.
Veröffentlicht: (2019) -
Вплив нейтронного опромінення на вольтамперні характеристики фосфідо-галієвих світлодіодів
von: Вишневський, І.М., et al.
Veröffentlicht: (2010) -
Вплив нейтронного опромінення на вольтамперні характеристики фосфідо-галієвих світлодіодів
von: Вишневський, І.М., et al.
Veröffentlicht: (2010) -
Вплив деформацій вищих мультипольностей на висоту бар’єра ядер
von: Денисов, В.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2015)