Газочувствительные элементы на основе пленок SiPcCl₂
Рассматриваются электрические и детектирующие свойства пленок фталоцианина кремния. Показано влияние технологических параметров, воздействия температуры и концентрации оксидов азота на эти свойства....
Gespeichert in:
Datum: | 2010 |
---|---|
Hauptverfasser: | Алиева, Х.С., Сулейманов, С.С., Муршудли, М.Н. |
Format: | Artikel |
Sprache: | Russian |
Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2010
|
Schriftenreihe: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Schlagworte: | |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Zitieren: | Газочувствительные элементы на основе пленок SiPcCl₂ / Х.С. Алиева, С.С. Сулейманов, М.Н. Муршудли // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 2. — С. 58-61. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
-
Газочувствительные элементы на основе пленок SiPcCl₂
von: Алиева, Х.С., et al.
Veröffentlicht: (2010) -
Влияние толщины и температуры пленок фталоцианина меди на их свойства
von: Алиева, Х.С.
Veröffentlicht: (2012) -
Влияние толщины и температуры пленок фталоцианина меди на их свойства
von: Алиева, Х.С.
Veröffentlicht: (2012) -
Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2014) -
Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)