Моделювання радiацiйних та релаксацiйних процесiв в iмплантованих iонами кисню плiвках залiзоiтрiєвого гранату
The mechanisms of the formation of defects in superficial layers of epitaxial yttrium iron garnet films during the implantation by oxygen ions (E = 90 keV) are investigated by mathematical modeling methods. Secondary implantation processes and the evolution of the cascade collisions of target atoms...
Gespeichert in:
| Datum: | 2008 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2008
|
| Schlagworte: | |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Моделювання радiацiйних та релаксацiйних процесiв в iмплантованих iонами кисню плiвках залiзоiтрiєвого гранату / Б.К. Остафiйчук, В.М. Ткачук, О.М. Ткачук, В.М. Пилипiв, О.О. Григорук // Доп. НАН України. — 2008. — № 7. — С. 82-85. — Бібліогр.: 7 назв. — укр. |