Доменная модель аномального сопротивления плазмы
Показано, что переход части электронов плазмы из свободного (токопроводящего) состояния в связанное состояние – в слои избыточного отрицательного заряда при генерации электрических доменов приводит к снижению проводимости плазмы. Дифференциальная проводимость плазмы является отрицательной. Получена...
Saved in:
| Date: | 2000 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2000
|
| Series: | Вопросы атомной науки и техники |
| Subjects: | |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Доменная модель аномального сопротивления плазмы / А.Г. Орешко // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 1. — С. 13-16. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Summary: | Показано, что переход части электронов плазмы из свободного (токопроводящего) состояния в связанное состояние – в слои избыточного отрицательного заряда при генерации электрических доменов приводит к снижению проводимости плазмы. Дифференциальная проводимость плазмы является отрицательной. Получена ампер-вольтная зависимость для катодной плазмы в магнитно-изолированном диоде ускорителя. |
|---|