Silicon carbide defects and luminescence centers in current heated 6H-SiC

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Bibliographische Detailangaben
Datum:2010
Hauptverfasser: S. W. Lee, S. I. Vlaskina, V. I. Vlaskin, I. V. Zaharchenko, V. A. Gubanov, G. N. Mishinova, G. S. Svechnikov, V. E. Rodionov, S. A. Podlasov
Format: Artikel
Sprache:English
Veröffentlicht: 2010
Schriftenreihe:Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349120
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