Indium admixture influence on photo-voltaic properties of slanting deposited films CdTe
Збережено в:
Дата: | 2005 |
---|---|
Автори: | M. A. Karimov, Kh. Juldashev |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2005
|
Назва видання: | Physical surface engineering |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000859381 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
About mechanism of high-voltage photo emf formation in thin slanting deposited films CdTe:Ag by own and admixture absorption
за авторством: Ju. Ju. Vajtkus, та інші
Опубліковано: (2005) -
Low-temperature photoluminescence of thin CdTe, CdTe:In films with an anomalous photovoltaic property
за авторством: Zh. Akhmadaliev, та інші
Опубліковано: (2010) -
First principles calculations of indium impurity-cadmium vacancy complex in CdTe
за авторством: Yuriychuk, I., та інші
Опубліковано: (2018) -
The technology of obtaining and studying heterostructural solar cells based on n-CdS/p-CdTe
за авторством: Sh. B. Karimov, та інші
Опубліковано: (2015) -
Photoluminescence studies of CdTe polycrystalline films
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2012)