Effect of different parameters on the carrier mobility in NWTFET
Gespeichert in:
Datum: | 2020 |
---|---|
Hauptverfasser: | R. Marki, M. Zaabat |
Format: | Artikel |
Sprache: | English |
Veröffentlicht: |
2020
|
Schriftenreihe: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001151462 |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Institution
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASÄhnliche Einträge
-
Quantum effects in a germanium quantum well with ultrahigh carrier mobility
von: I. B. Berkutov, et al.
Veröffentlicht: (2019) -
Comparison of some different ways used for approximate solution of kinetic equation and calculations of carrier mobility
von: I. I. Boiko
Veröffentlicht: (2017) -
Charge carrier mobility in the configuration restructuring divacancies in silicon
von: A. P. Dolgolenko
Veröffentlicht: (2014) -
Two-dimensional modeling the static parameters for a submicron field-effect transistor
von: Zaabat, M., et al.
Veröffentlicht: (2009) -
Thermoelectric properties, Shubnikov–de Haas effect and mobility of charged carriers in telluride and selenide of bismuth and antimony and nanocomposite based on these materials
von: V. A. Kulbachinskij, et al.
Veröffentlicht: (2017)