Influence of divacancy-oxygen defects on recombination properties of n-Si subjected to irradiation and subsequent annealing
Gespeichert in:
| Datum: | 2018 |
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| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
2018
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| Schriftenreihe: | Ukrainian Journal of Physics |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000940845 |
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| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |