Influence of intrinsic point defects and substitutional impurities (Cl, I-S) on the electronic structure of 2H-Sn2
Gespeichert in:
Datum: | 2018 |
---|---|
Hauptverfasser: | , |
Format: | Artikel |
Sprache: | English |
Veröffentlicht: |
2018
|
Schriftenreihe: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000941355 |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |