Synergetics of the instability and randomness in the formation of gradient modified semiconductor structures
Збережено в:
Дата: | 2018 |
---|---|
Автори: | N. V. Yurkovych, M. I. Maryan, V. Seben |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2018
|
Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000941357 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Nanosized levels of the self-organized structures in the non-crystalline semiconductors As-S(Se) system
за авторством: M. I. Maryan, та інші
Опубліковано: (2019) -
The System-Synergetic Approach to Development of Banking Systems under Conditions of Financial Instability
за авторством: H. T. Karcheva
Опубліковано: (2015) -
Preparation of non-uniform gradient structures on the basis of Ge₄₀S₆₀ alloys with modifiers
за авторством: Loya, V.Yu., та інші
Опубліковано: (2005) -
Temperature gradient and transport of heat and charge in a semiconductor structure (Review Article)
за авторством: Yu. Titov, та інші
Опубліковано: (2021) -
Temperature gradient driven instability in the edge plasma of a field reversed configuration
за авторством: Chirkov, A.Yu., та інші
Опубліковано: (2006)