Oxygen ion-beam modification of vanadium oxide films for reaching a high value of the resistance temperature coefficient
Збережено в:
Дата: | 2017 |
---|---|
Автори: | T. M. Sabov, O. S. Oberemok, O. V. Dubikovskyi, V. P. Melnik, V. P. Kladko, B. M. Romanyuk, V. G. Popov, Yo. Gudymenko, N. V. Safriuk |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2017
|
Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000741617 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Purification of vanadium by electron-beam melting
за авторством: Bobrov, Yu.P., та інші
Опубліковано: (2014) -
The structure and crystallisation of laser condensates vanadium deposited in oxygen atmosphere
за авторством: Bagmut, A.G., та інші
Опубліковано: (2006) -
Dopant depth profile modification during mass Spectrometric analysis of multilayer nanostructures
за авторством: A. A. Efremov, та інші
Опубліковано: (2015) -
Modeling of X-ray rocking curves for layers after two-stage ion-implantation
за авторством: O. I. Liubchenko, та інші
Опубліковано: (2017) -
Effect of low-temperature treatments on photoluminescence enhancement of ion-beam synthesized Si nanocrystals in SiO₂ matrix
за авторством: Khatsevich, I., та інші
Опубліковано: (2008)