Investigation of photodiode formation processes in insb by using beryllium ion implantation
Збережено в:
Дата: | 2017 |
---|---|
Автори: | Yu. V. Holtvianskyi, O. Y. Hudymenko, O. V. Dubikovskyi, O. I. Liubchenko, O. S. Oberemok, T. M. Sabov, S. V. Sapon, K. I. Chunikhina |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2017
|
Назва видання: | Optoelectronics and Semiconductor Technique |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001138339 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Be-ion implanted p-n InSb diode for infrared applications. Modeling, fabrication and characterization
за авторством: V. V. Korotyeyev, та інші
Опубліковано: (2018) -
InSb Photodiodes (Review, Part I)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016) -
InSb Photodiodes (Review, Part II)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016) -
Trotsenko. InSb photodiodes (Review. Part III)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2017) -
Tunneling current via dislocations in InAs and InSb infrared photodiodes
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2011)