Theoretical and experimental modelling the specific resistance of vertical ohmic contacts Au–Ti–Pd–n+-n-n+-Si in IMPATT diodes

Схожі ресурси

• Theoretical and experimental modelling the specific resistance of vertical ohmic contacts Au–Ti–Pd–n⁺-n-n⁺-Si in IMPATT diodes
  за авторством: Romanets, P.M., та інші
  Опубліковано: (2016)
• Investigation of contact resistivity for Au—Ti—Pd—n-Si ohmic contacts for impatt diodes
  за авторством: V. V. Basanets, та інші
  Опубліковано: (2015)
• Peculiarities of study of Au–Ti–Pd–n+-n-n+-Si multilayer contact structure to avalanche transit-time diodes
  за авторством: P. M. Romanets, та інші
  Опубліковано: (2019)
• Temperature dependence of contact resistance of Au−Ti−Pd2Si−n⁺ -Si ohmic contacts
  за авторством: Belyaev, A.E., та інші
  Опубліковано: (2010)
• Temperature dependence of contact resistance of Au Ti Pd2Si n+-Si ohmic contacts
  за авторством: A. E. Belyaev, та інші
  Опубліковано: (2010)