Electronic structure of 2H-SnSe2: ab initio modeling and comparison with experiment
Saved in:
Date: | 2016 |
---|---|
Main Authors: | D. I. Bletskan, K. E. Glukhov, V. V. Frolova |
Format: | Article |
Language: | English |
Published: |
2016
|
Series: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
Online Access: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714542 |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Journal Title: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Institution
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASSimilar Items
-
Electronic structure of 2H-SnSe₂: ab initio modeling and comparison with experiment
by: Bletskan, D.I., et al.
Published: (2016) -
Термоелектричні властивості евтектичних сплавів систем TlBiSe₂—SnSe₂ (Tl₂SnSe₃, Tl₄SnSe₄) і Tl₄SnSe₄—Tl₉BiSe₆
by: Козьма, А.А., et al.
Published: (2011) -
Фазові рівноваги у системі SnSe₂—Tl₂SnSe₃—TlBiSe₂
by: Козьма, А.А., et al.
Published: (2010) -
Фазові рівноваги в системі Tl₂Se—SnSe, одержання та властивості монокристалів сполуки Tl₄SnSe₃
by: Малаховська, Т.О., et al.
Published: (2009) -
Influence of intrinsic point defects and substitutional impurities (Cl, I-S) on the electronic structure of 2H-Sn2
by: D. I. Bletskan, et al.
Published: (2018)