Manifestation of point defects in the electronic structure of Hg3Te2Cl2 crystals
Збережено в:
Дата: | 2016 |
---|---|
Автори: | O. V. Bokotey, V. V. Vakulchak, A. A. Bokotey, I. I. Nebola |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2016
|
Назва видання: | Ukrainian journal of physics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000723420 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Manifestation of point defects in the electronic structure of Hg3Te2Cl2 crystals
за авторством: O. V. Bokotey, та інші
Опубліковано: (2016) -
Прояв точкових дефектiв в електроннiй структурi кристалiв Hg3Te2Cl2
за авторством: Bokotey, O. V., та інші
Опубліковано: (2019) -
Diffusion and mobility of native point defects in narrow-gap Hg₁-xCdxTe crystals
за авторством: Elizarov, A.I., та інші
Опубліковано: (2003) -
Influence of intrinsic point defects and substitutional impurities (Cl, I-S) on the electronic structure of 2H-Sn2
за авторством: D. I. Bletskan, та інші
Опубліковано: (2018) -
Electronic structure, optical and photoelectrical properties of crystalline Si2Te3
за авторством: D. I. Bletskan, та інші
Опубліковано: (2019)