Radiation-stimulated processes in silicon structures with contacts based on TiN
Збережено в:
Дата: | 2015 |
---|---|
Автори: | M. U. Nasyrov, A. B. Ataubaeva |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2015
|
Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000706513 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Radiation-stimulated processes in silicon structures with contacts based on TiN
за авторством: Nasyrov, M.U., та інші
Опубліковано: (2015) -
Radiation-stimulated processes in silicon structures with contacts based on TiN
за авторством: Nasyrov, M.U., та інші
Опубліковано: (2015) -
Composition, structure and tribotechnical properties of TiN, MoN single-layer and TiN/MoN multilayer coatings
за авторством: O. V. Bondar, та інші
Опубліковано: (2015) -
The Use of Pulsed Ion Stimulation to Modify the Stressed Structure State and Mechanical Properties of Vacuum—Arc TiN Coatings
за авторством: A. A. Andreev, та інші
Опубліковано: (2013) -
TiN crystal structure features in cBN—TiN—Al composite sintered at high pressures and temperatures
за авторством: N. M. Biliavyna, та інші
Опубліковано: (2022)