External impacts on SiC nanostructures in pure and lightly doped silicon carbide crystals

External impacts on SiC nanostructures in pure and lightly doped silicon carbide crystals

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2015
Hauptverfasser:	S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, V. I. Vlaskin, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov
Format:	Artikel
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2015
Schriftenreihe:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714339
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