Mechanism of tin-induced crystallization in amorphous silicon
Збережено в:
Дата: | 2014 |
---|---|
Автори: | V. B. Neimash, A. O. Goushcha, P. E. Shepeliavyi, V. O. Yukhymchuk, V. A. Danko, V. V. Melnyk, A. G. Kuzmich |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2014
|
Назва видання: | Ukrainian journal of physics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000697572 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Mechanism of tin-induced crystallization in amorphous silicon
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2014) -
Raman scattering in the process of tin-induced crystallization of amorphous silicon
за авторством: V. Neimash, та інші
Опубліковано: (2016) -
Raman scattering in the process of tin-induced crystallization of amorphous silicon
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2016) -
Tin-induced crystallization of amorphous silicon assisted by a pulsed laser irradiation
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2017) -
Tin-induced crystallization of amorphous silicon under pulsed laser irradiation
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2017)