Electrical and photoelectrical properties of a-SICN/c-SI heterojunctions
Збережено в:
Дата: | 2013 |
---|---|
Автори: | A. V. Sukach, V. V. Tetorkin, V. I. Ivashchenko, O. K. Porada, A. O. Kozak, A. I. Tkachuk, A. T. Voroshchenko |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2013
|
Назва видання: | Optoelectronics and Semiconductor Technique |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363126 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Hard plasmachemical a-SiCN coatings
за авторством: O. K. Porada, та інші
Опубліковано: (2016) -
Photoelectrical properties of p+-inp/n-ingaasp/n-inp double heterojunctions
за авторством: S. I. Krukovskyi, та інші
Опубліковано: (2012) -
Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si
за авторством: Сукач, А.В., та інші
Опубліковано: (2013) -
Photovoltaic effect in p–SiC/p–Si heterojunction
за авторством: Kozlovskyi, A.A., та інші
Опубліковано: (2013) -
Тверді плазмохімічні a-SiCN-покриття
за авторством: Порада, О.К., та інші
Опубліковано: (2016)