Immersion zone irradiated with n-InSe electrons
Збережено в:
Дата: | 2013 |
---|---|
Автори: | I. V. Mintianskyi, P. I. Savytskyi, Z. D. Kovaliuk |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2013
|
Назва видання: | Physical surface engineering |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000929028 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Effect of the electron irradiation on electrical properties of n-InSe and their anisotropy
за авторством: I. V. Mintianskyi, та інші
Опубліковано: (2018) -
Investigation of the interaction of lithium with n-InSe: spectra of inpedance and X-ray diffraction
за авторством: S. V. Havryliuk, та інші
Опубліковано: (2014) -
Електрофізичні властивості супрамолекулярних ансамблів InSe<CH₄N₂S>, InSe<FeSO₄> та InSe<CH₄N₂S<FeSO₄>>
за авторством: Іващишин, Ф.О., та інші
Опубліковано: (2017) -
Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
за авторством: V. B. Boledziuk, та інші
Опубліковано: (2013) -
Mechanisms of forward current transport in p-GaSe-n-InSe heterojunctions
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2003)