Graded-gap AlInN Gunn diodes

Graded-gap AlInN Gunn diodes

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2012
Автори:	I. P. Storozhenko, A. N. Yaroshenko, M. V. Kaydash
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	2012
Назва видання:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350137
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Graded-gap AlInN Gunn diodes
за авторством: Storozhenko, I.P., та інші
Опубліковано: (2012)

Graded-gap AlInN Gunn diodes
за авторством: Storozhenko, I.P., та інші
Опубліковано: (2012)

AlGaInAs graded-dap Gunn diode
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2016)

Gunn Diode with Tunnel p++-n++-cathode
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)

GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)

Terahertz oscillations in InN Gunn diodes with an active region length of 1 μm and with a graded GaInN layer
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2022)

TERAHERTZ OSCILLATIONS IN InN GUNN DIODES WITH AN ACTIVE REGION LENGTH OF 1 μm AND WITH A GRADED GaInN LAYER
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2023)

Gunn Diode with Induced Channel in Active Region
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)

Характеристики варизонных AlInN диодов Ганна
за авторством: Кайдаш, М.В.
Опубліковано: (2013)

Характеристики варизонных AlInN диодов Ганна
за авторством: Кайдаш, М.В.
Опубліковано: (2013)

Alx(z)Ga1-x(z)As Variband Gunn Diodes with Different Cathode Contacts
за авторством: Storozhenko, I. P.
Опубліковано: (2013)

Influence of Temperature on Energy and Frequency Characteristics of mm-Waves Heterocathode Gunn Diodes
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)

Ohmic contacts based on Pd to indium phosphide Gunn diodes
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2015)

Ohmic contacts based on Pd to indium phosphide Gunn diodes
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2015)

Ohmic contacts based on Pd to indium phosphide Gunn diodes
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2015)

A PLANAR n⁺ –n–n⁺ GaAs DIODE WITH GaInAs-BASED GRADED-GAP ACTIVE SIDE BOUNDARY
за авторством: Zozulia, V. O., та інші
Опубліковано: (2024)

Gunn Diode Millimetre-Wave Frequency Shift Mixer-Amplifier
за авторством: Plaksin, S. V., та інші
Опубліковано: (2013)

The composition effect on the bowing parameter in the cubic InGaN, AlGaN and AlInN alloys
за авторством: Berrah, S., та інші
Опубліковано: (2008)

The composition effect on the bowing parameter in the cubic InGaN, AlGaN and AlInN alloys
за авторством: Berrah, S., та інші
Опубліковано: (2008)

Constructively technological features of HIC for millimeter autodyne on Gunn diodes
за авторством: S. D. Votoropin
Опубліковано: (2006)

Novel technological possibilities for growth of GaAs autoepitaxial films, and properties of Gunn diodes made on their basis
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2005)

Novel technological possibilities for growth of GaAs autoepitaxial films, and properties of Gunn diodes made on their basis
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2005)

Metallic Cathode Contact for Gunn Diodes on Basis of Some Novel A3B5 Semiconductor Compounds
за авторством: Arkusha, Yu. V.
Опубліковано: (2013)

Low doses effect in GaP light-emitting diodes
за авторством: Hontaruk, O.M., та інші
Опубліковано: (2016)

Low doses effect in GaP light-emitting diodes
за авторством: O. M. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2016)

Low doses effect in GaP light-emitting diodes
за авторством: Hontaruk, O.M., та інші
Опубліковано: (2016)

Ultrasound influence on exciton emission of GaP light diodes
за авторством: Gontaruk, O.M., та інші
Опубліковано: (2003)

Ultrasound influence on exciton emission of GaP light diodes
за авторством: Gontaruk, O.M., та інші
Опубліковано: (2003)

Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes
за авторством: Borzakovskyj, A., та інші
Опубліковано: (2009)

Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes
за авторством: Borzakovskyj, A., та інші
Опубліковано: (2009)

Surface distribution of the emitting intensity of GaP light-emitting diodes
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2013)

Action of Random Force on Gunn Domain
за авторством: Bass, F. G., та інші
Опубліковано: (2012)

Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes
за авторством: Konoreva, O., та інші
Опубліковано: (2014)

Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes
за авторством: O. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2014)

Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes
за авторством: Konoreva, O., та інші
Опубліковано: (2014)

The effect of ion implantation on structural damage in compositionally graded AlGaN layers
за авторством: O. I. Liubchenko, та інші
Опубліковано: (2019)

Electrical and optical characteristics of GaP diodes, irradiated with 2 MeV electrons
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2014)

Current instabilities in resonant tunnelling diodes based on GaN/AlN heterojunctions
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2004)

Current instabilities in resonant tunnelling diodes based on GaN/AlN heterojunctions
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2004)

Atomic composition calculation of A3V5 graded band structures for white diodes
за авторством: V. G. Verbitskij, та інші
Опубліковано: (2003)