Graded-gap AlInN Gunn diodes

Graded-gap AlInN Gunn diodes

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2012
Hauptverfasser:	I. P. Storozhenko, A. N. Yaroshenko, M. V. Kaydash
Format:	Artikel
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2012
Schriftenreihe:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350137
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Institution

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Ähnliche Einträge

Graded-gap AlInN Gunn diodes
von: Storozhenko, I.P., et al.
Veröffentlicht: (2012)

AlGaInAs graded-dap Gunn diode
von: I. P. Storozhenko, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Gunn Diode with Tunnel p++-n++-cathode
von: Arkusha, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
von: Storozhenko, I. P., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Terahertz oscillations in InN Gunn diodes with an active region length of 1 μm and with a graded GaInN layer
von: I. P. Storozhenko, et al.
Veröffentlicht: (2022)

TERAHERTZ OSCILLATIONS IN InN GUNN DIODES WITH AN ACTIVE REGION LENGTH OF 1 μm AND WITH A GRADED GaInN LAYER
von: Storozhenko, I. P., et al.
Veröffentlicht: (2023)

Gunn Diode with Induced Channel in Active Region
von: Arkusha, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Характеристики варизонных AlInN диодов Ганна
von: Кайдаш, М.В.
Veröffentlicht: (2013)

Alx(z)Ga1-x(z)As Variband Gunn Diodes with Different Cathode Contacts
von: Storozhenko, I. P.
Veröffentlicht: (2013)

Influence of Temperature on Energy and Frequency Characteristics of mm-Waves Heterocathode Gunn Diodes
von: Arkusha, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

The composition effect on the bowing parameter in the cubic InGaN, AlGaN and AlInN alloys
von: Berrah, S., et al.
Veröffentlicht: (2008)

A PLANAR n⁺ –n–n⁺ GaAs DIODE WITH GaInAs-BASED GRADED-GAP ACTIVE SIDE BOUNDARY
von: Zozulia, V. O., et al.
Veröffentlicht: (2024)

Ohmic contacts based on Pd to indium phosphide Gunn diodes
von: A. E. Belyaev, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Ohmic contacts based on Pd to indium phosphide Gunn diodes
von: Belyaev, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Gunn Diode Millimetre-Wave Frequency Shift Mixer-Amplifier
von: Plaksin, S. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Constructively technological features of HIC for millimeter autodyne on Gunn diodes
von: S. D. Votoropin
Veröffentlicht: (2006)

Novel technological possibilities for growth of GaAs autoepitaxial films, and properties of Gunn diodes made on their basis
von: Belyaev, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Metallic Cathode Contact for Gunn Diodes on Basis of Some Novel A3B5 Semiconductor Compounds
von: Arkusha, Yu. V.
Veröffentlicht: (2013)

Low doses effect in GaP light-emitting diodes
von: Hontaruk, O.M., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Low doses effect in GaP light-emitting diodes
von: O. M. Hontaruk, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Ultrasound influence on exciton emission of GaP light diodes
von: Gontaruk, O.M., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes
von: Borzakovskyj, A., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Surface distribution of the emitting intensity of GaP light-emitting diodes
von: O. V. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Action of Random Force on Gunn Domain
von: Bass, F. G., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Current instabilities in resonant tunnelling diodes based on GaN/AlN heterojunctions
von: Belyaev, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes
von: Konoreva, O., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes
von: O. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2014)

The effect of ion implantation on structural damage in compositionally graded AlGaN layers
von: O. I. Liubchenko, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Electrical and optical characteristics of GaP diodes, irradiated with 2 MeV electrons
von: O. V. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Atomic composition calculation of A3V5 graded band structures for white diodes
von: V. G. Verbitskij, et al.
Veröffentlicht: (2003)

Study of gamma field induced degradation of green GaP light diode electroluminescence characteristics
von: Kanevsky, S.O., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Degradation of electrooptical characteristics of serial GaP light-emitting diodes, caused by fast electrons
von: Konoreva, O.V., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Degradation of electrooptical characteristics of serial GaP light-emitting diodes, caused by fast electrons
von: O. V. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Features of current-voltage characteristics inherent to GaP light-emitting diodes with quantum wells
von: Konoreva, O., et al.
Veröffentlicht: (2006)

On the current flow mechanism in the Au-TiBx-n-GaN-i-Al₂O₃ Schottky barrier diodes
von: Belyaev, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Radiation hardness of AlAs/GaAs-based resonant tunneling diodes
von: Belyaev, A.A., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Photoelectric converters of UV radiation with graded-gap layers based on CdxZn1–xS solid solutions
von: Ju. N. Bobrenko, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Electric field and carrier concentration distributions in the semiconductor under photorefractive Gunn effect
von: Gorley, P.M., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Impact of traps on current-voltage characteristic of n+-n-n+ diode
von: P. M. Kruglenko
Veröffentlicht: (2017)

Influencing of surfacing chips on extraction of radiation of superbright light emitting diodes on heterostructures InGaN/Al2O3
von: V. I. Osinskij, et al.
Veröffentlicht: (2003)