Influence of -irradiation (60So) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type

Influence of -irradiation (60So) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2012
1. Verfasser:	G. P. Gaidar
Format:	Artikel
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2012
Schriftenreihe:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350282
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