Schottky contact degradation at thermal annealing
Gespeichert in:
Datum: | 2012 |
---|---|
Hauptverfasser: | E. F. Venger, I. Gotovy, L. V. Shekhovtsov |
Format: | Artikel |
Sprache: | English |
Veröffentlicht: |
2012
|
Schriftenreihe: | Optoelectronics and Semiconductor Technique |
Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001287281 |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Institution
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASÄhnliche Einträge
-
Lateral photo-emf in Schottky contact
von: E. F. Venger, et al.
Veröffentlicht: (2010) -
Lateral photo-emf in a nonuniform Schottky contact
von: E. F. Venger, et al.
Veröffentlicht: (2011) -
Some features of transverse photovoltage in semiconductor heterostructure and Schottky contact
von: Shekhovtsov, L.V.
Veröffentlicht: (2001) -
On a doped transition layer in the space charge region of Schottky contact
von: Shekhovtsov, L.V.
Veröffentlicht: (2002) -
Effect of rapid thermal annealing on properties of contacts Au-Mo-TiBx-GaAs
von: Venger, E.F., et al.
Veröffentlicht: (1999)