Gaidar, G. P., Dolgolenko, A. P., & Litovchenko, P. G. (2011). The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Gaidar, G. P., A. P. Dolgolenko, та P. G. Litovchenko. The Kinetic of Point Defect Transformation During the Annealing Process in Electron-irradiated Silicon. 2011.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Gaidar, G. P., et al. The Kinetic of Point Defect Transformation During the Annealing Process in Electron-irradiated Silicon. 2011.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.