Influence of mutual drag of light and heavy holes on conductivity of p-silicon and p-germanium
Збережено в:
Дата: | 2011 |
---|---|
Автор: | I. I. Boiko |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2011
|
Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349751 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Influence of mutual drag of light and heavy holes on conductivity of p-silicon and p-germanium
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2011) -
Influence of mutual drag of light and heavy holes on magnetoresistivity and Hall-effect of p-silicon and p-germanium
за авторством: I. I. Boiko
Опубліковано: (2011) -
Influence of mutual drag of light and heavy holes on magnetoresistivity and Hall-effect of p-silicon and p-germanium
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2011) -
Dependence of the anisotropy parameter of drag thermo-emf on the impurity concentration in the n-type germanium and silicon crystals
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2017) -
Stress-induced effects in light scattering by plasmons in p-type germanium
за авторством: Poroshin, V.N., та інші
Опубліковано: (2003)