Аморфізований субмікронний шар в області просторового заряду: новий підхід до проблеми підвищення ефективності кремнієвих сонячних елементів
The insertion of a thin amorphized layer (AL) in the space charge region of a silicon solar cell is proposed as a way to improve the conversion efficiency due to the impurity photovoltaic effect. Previously, this approach had been applied to a cell with a layer inserted in the emitter by the ion imp...
Gespeichert in:
Datum: | 2018 |
---|---|
Hauptverfasser: | Kozinetz, A. V., Skryshevsky, V. A. |
Format: | Artikel |
Sprache: | English |
Veröffentlicht: |
Publishing house "Academperiodika"
2018
|
Schlagworte: | |
Online Zugang: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018032 |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Institution
Ukrainian Journal of PhysicsÄhnliche Einträge
-
Теоретичний аналiз ефективностi кремнiєвих сонячних елементiв з аморфiзованими шарами в областi просторового заряду
von: Kozynetz, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2019) -
Особливостi формування рекомбiнацiйного струму в областi просторового заряду кремнiєвих сонячних елементiв
von: Sachenko, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2019) -
Деякі проблеми розробки люмінесцентного трансформатора для кремнієвих сонячних елементів
von: Azovskyi, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2020) -
Залежності фотоелектричних характеристик кремнієвих сонячних елементів з тиловою металізацією від товщини
von: Gorban, A.P., et al.
Veröffentlicht: (2022) -
Фiзичнi властивостi кремнiєвих сенсорних структур з фотоелектричним принципом перетворення на основi “глибокого” p–n-переходу
von: Kozinetz, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2018)