Фотоелектричні властивості плівок SiGe, покритих шарами аморфного та полікристалічного кремнію
Виявлено, що тонкi шари аморфного та полiкристалiчного Si (вiдповiдно a-Si та poly-Si), нанесенi на поверхню Ge0,25Si0,75, суттєво зменшують величину негативної фото-ЕРС, вiдтворюванiй у шарi Ge0,25Si0,75, нанесеному на пiдкладку кристалiчного Si. У той самий час, при достатнiй глибинi проникнення с...
Gespeichert in:
| Datum: | 2019 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Publishing house "Academperiodika"
2019
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018573 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Institution
Ukrainian Journal of Physics| Zusammenfassung: | Виявлено, що тонкi шари аморфного та полiкристалiчного Si (вiдповiдно a-Si та poly-Si), нанесенi на поверхню Ge0,25Si0,75, суттєво зменшують величину негативної фото-ЕРС, вiдтворюванiй у шарi Ge0,25Si0,75, нанесеному на пiдкладку кристалiчного Si. У той самий час, при достатнiй глибинi проникнення свiтла, що включає обидва нанесенi шари та приповерхневу область пiдкладки Si, у промiжки часу, бiльшi за ≈10–20 мкс пiсля закiнчення свiтлового iмпульсу, спостерiгається фото-ЕРС позитивного знака. Виявлено також, що насичення киснем шару a-Si в гетероструктурi a-Si/Ge0,25Si0,75/c-Si призводить до суттєвого зростання величини додатної складової сигналу фото-ЕРС (в 6 разiв у наших експериментах). Такий ефект може бути використано для розробки ефективних сонячних елементiв на основi гетероструктури a-Si/GexSi1−x/c-Si. |
|---|