Лазерно-стимульоване збiльшення вiдбиваючої здатностi монокристалiчного n-GaAs(100)

The results of optical researches concerning the reflection spectra of n-GaAs(100) single crystals with a specific resistance of 10 Ωcm (at room temperature) measured in a light wave-length interval of 0.2–1.7 мm before and after the laser irradiation to an energy dose of 66–108 mJ/cm2 are reported....

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2018
Hauptverfasser: Gentsar, P. O., Vlasenko, O. I., Levytskyi, S. M.
Format: Artikel
Sprache:English
Ukrainian
Veröffentlicht: Publishing house "Academperiodika" 2018
Schlagworte:
Online Zugang:https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018608
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Назва журналу:Ukrainian Journal of Physics

Institution

Ukrainian Journal of Physics