Модифікація оптичних властивостей пористих шарів напівпровідників AIIIBV, отриманих методом анодного травлення
Morphology investigations (atomic force microscopy (AFM) and scanning electron microscopy (SEM)), study of Raman scattering (RS) and photoluminescence (PL) have been performed to characterize a series of AIIIBV materials (GaAs, GaP, InP) with an electrochemically prepared porous surface layer. It ha...
Gespeichert in:
| Datum: | 2012 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Publishing house "Academperiodika"
2012
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021325 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |