Вплив легування атомами B, Si та P на електронні властивості кристала AlN з домішкою Mn
Розраховано парціальні й повні густини електронних станів кристала AlN з домішкою Mn, додатково легованого атомами B, Si та P, для орієнтацій спінового моменту вниз і вгору. Порівняння густин електронних станів чистого і легованого Mn кристала AlN показує, що завдяки домішці Mn у забороненій зоні з&...
Saved in:
| Date: | 2022 |
|---|---|
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian English |
| Published: |
Publishing house "Academperiodika"
2022
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022077 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Ukrainian Journal of Physics |