Simulation of incoherent radiation absorption in 3C-, 6H- and 4H-SiC at rapid thermal processing

за авторством Agueev, O.A., Svetlichny, A.M., Soloviev, S.I.
Опубліковано 2000

From single SQUID to superconducting quantum arrays

за авторством Kornev, V.K., Kolotinskiy, N.V., Sharafiev, A.V., Soloviev, I.I.
Опубліковано 2017

Effect of pulse thermal treatments on the Ni(Ti)–n-21R(6H)-SiC contact parameters

за авторством Avdeev, S.P., Agueev, O.A., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Lytvyn, O.S., Lytvyn, P.M., Milenin, V.V., Sechenov, D.A., Svetlichny, A.M., Soloviev, S.I., Sudarshan, T.S.
Опубліковано 2004

SiC Schottky-barrier diodes formed with TiBx and ZrBx amorphous layers

за авторством Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Milenin, V.V., Lytvyn, O.S., Lytvyn, P.M., Vlaskina, S.I., Agueev, O.A., Svetlichny, A.I., Soloviev, S.I., Sudarshan, T.S.
Опубліковано 2004