Refractory contact to a-SiC produced by laser technology methods
Developed in the paper are method and technological scheme to obtain ohmic contacts (OC) to a-SiC(:N), Nd - Na ~1 - 3.10¹⁸ cm⁻³ by pulse laser deposition (PLD) of multilayer structures Ni/W/Si₃N₄/W and the following laser annealing (LA). When using an YAG:Nd³⁺ laser, threshold levels and optimal reg...
Gespeichert in:
| Datum: | 2001 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Schriftenreihe: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119279 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Refractory contact to a-SiC produced by laser technology methods / L.L. Fedorenko, V.S. Kiseleov, S.V. Svechnikov, M.M. Yusupov, G.V. Beketov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2001. — Т. 4, № 3. — С. 192-195. — Бібліогр.: 8 назв. — англ. |