Influence of traps in gate oxide-Si film transition layers on FD MOSFET's characteristics at cryogenic emperatures
The results of experiments on the influence of recharging the electron traps in a Si-SiO₂ transition layer on the low-temperature characteristics of fully depleted silicon in insulator MOSFET devices are presented. It is shown that the low-dose gammaradiation improves electrophysical parameters o...
Збережено в:
| Дата: | 2007 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2007
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Influence of traps in gate oxide-Si film transition layers on FD MOSFET's characteristics at cryogenic emperatures / V.S. Lysenko, I.P. Tyagulsky, I.N. Osiyuk, A.N. Nazarov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2007. — Т. 10, № 2. — С. 34-39. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineБудьте першим, хто залишить коментар!