Microstructure of intergranular boundaries in polycrystalline silicon and its effect on the transport of charge carriers
Збережено в:
Дата: | 2010 |
---|---|
Автори: | B. M. Abdurakhmanov, L. O. Olimov, F. Abdurazakov |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2010
|
Назва видання: | Physical surface engineering |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000877896 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Electrical properties intergranular boundaries in the volume of polycrystalline silicon
за авторством: L. O. Olimov, та інші
Опубліковано: (2013) -
Switching of current and voltage when heating non-transition polycrystalline silicon doped with alkali metals in the region of grain boundaries
за авторством: L. O. Olimov, та інші
Опубліковано: (2014) -
Mechanisms of carrier transport in CdTe polycrystalline films
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2010) -
Mechanisms of carrier transport in CdTe polycrystalline films
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2010) -
Avalanche multiplication of charge carriers in nanostructured porous silicon
за авторством: Timokhov, D.F., та інші
Опубліковано: (2003)