Physical properties of silicon sensor structures with photoelectric transformation on the basis of "deep" p–n-junction

Physical properties of silicon sensor structures with photoelectric transformation on the basis of "deep" p–n-junction

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2017
Hauptverfasser:	A. V. Kozinetz, S. V. Litvinenko, V. A. Skryshevsky
Format:	Artikel
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2017
Schriftenreihe:	Ukrainian journal of physics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000703699
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Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

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