Oxygen ion-beam modification of vanadium oxide films for reaching a high value of the resistance temperature coefficient

Oxygen ion-beam modification of vanadium oxide films for reaching a high value of the resistance temperature coefficient

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2017
Hauptverfasser:	T. M. Sabov, O. S. Oberemok, O. V. Dubikovskyi, V. P. Melnik, V. P. Kladko, B. M. Romanyuk, V. G. Popov, Yo. Gudymenko, N. V. Safriuk
Format:	Artikel
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2017
Schriftenreihe:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000741617
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