The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon

The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2011
Автори:	G. P. Gaidar, A. P. Dolgolenko, P. G. Litovchenko
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	2011
Назва видання:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349498
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2011)

Dependence of the defect introduction rate on the dose of irradiation of p-Si by fast-pile neutrons
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2007)

Physical kinetics of redistribution of point defects in irradiated crystals
за авторством: O. V. Oliinyk, та інші
Опубліковано: (2012)

Evolution of defective structure of the irradiated silicon during natural ageing
за авторством: Fodchuk, I.M., та інші
Опубліковано: (2003)

Pressure-induced transformations during annealing of silicon implanted with oxygen
за авторством: Misiuk, A., та інші
Опубліковано: (2006)

Features of radiation-defect annealing in n-Ge single crystals irradiated with high-energy electrons
за авторством: S. V. Luniov, та інші
Опубліковано: (2019)

The radiation hardness of pulled silicon doped with germanium
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2007)

Influence of the annealing of silicon crystals at 1200 °C on the Hall effect and magnetoresistance
за авторством: Baranskyy, P.I., та інші
Опубліковано: (2002)

Features of radiation-defect annealing in n-Ge single crystals irradiated with high-energy electrons
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2019)

Influence of the surface electronic processes on the spectrometric characteristics of silicon detectors
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2016)

The annealing of high - level doped materials on the base of the n – and p – Si₀.₇ Ge₀.₃ solid solution under reactor irradiation
за авторством: Dolgolenko, A.P.
Опубліковано: (2006)

Investigation of the influence of isovalent impurity of silicon and -irradiation (60Co) on electrophysical parameters of n-Ge Sb
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2014)

Investigation of the influence of isovalent impurity of silicon and y-irradiation (⁶⁰Co) on electrophysical parameters of n-Ge <Sb>
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2014)

Thermal annealing and evolution of defects in neutron-irradiated cubic SiC
за авторством: Ya. Bratus, та інші
Опубліковано: (2015)

Thermal annealing and evolution of defects in neutron-irradiated cubic SiC
за авторством: Bratus, V.Ya., та інші
Опубліковано: (2015)

Influence of preliminary irradiation on radiation hardness of silicon and indium antimonide
за авторством: Litovchenko, P.G., та інші
Опубліковано: (2001)

Influence of divacancy-oxygen defects on recombination properties of n-Si subjected to irradiation and subsequent annealing
за авторством: M. M. Krasko, та інші
Опубліковано: (2018)

Nature and kinetics of paramagnetic defects in chitosan induced by beta-irradiation
за авторством: A. A. Konchits, та інші
Опубліковано: (2018)

Amorphization kinetics under electron irradiation
за авторством: Bakai, A.S., та інші
Опубліковано: (2005)

Influence of growing and doping methods on radiation hardness of n-Si irradiated by fast-pile neutrons
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2004)

Simulation of a spatial organization of point defects in irradiated systems
за авторством: D. O. Kharchenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Simulation of a spatial organization of point defects in irradiated systems
за авторством: D. O. Kharchenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Electronic properties of graphene with point defects
за авторством: Ju. V. Skripnik, та інші
Опубліковано: (2018)

Thermodynamics and crystal chemistry of point defects in PpbTe crystals at two-temperature annealing
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2011)

Influence of neutron irradiation on elctrooptical and structural properties of silicon
за авторством: Groza, A.A., та інші
Опубліковано: (2001)

Defects formation in spinel crystals under electron and gamma beam irradiation
за авторством: Gokov, S.P., та інші
Опубліковано: (2009)

Influence of divacancy-oxygen defects on recombination properties of n-Si subjected to irradiation and subsequent annealing
за авторством: M. M. Krasko, та інші
Опубліковано: (2018)

Peculiarities of physical processes of formation of silicon surface-barrier structures
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2024)

Kinetics of Mechanically Induced Separation of Chromium-Nickel Steels with Regard for Generation of Point Defects by Glide Dislocations during SPD
за авторством: V. N. Varjukhin, та інші
Опубліковано: (2013)

Recombination parameters of point defects in dislocation-free silicon single crystals
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2006)

Efficiency of defects formation in spinel under high energy electron and gamma beam irradiation
за авторством: Gokov, S.P., та інші
Опубліковано: (2009)

Kinetics disintegration of chromoium nanofilms deposited onto oxide materials during annealing in vacuum
за авторством: Yu. V. Naidich, та інші
Опубліковано: (2018)

Influence of initial defects on defect formation process in ion doped silicon
за авторством: Smyntyna, V.A., та інші
Опубліковано: (2009)

Features of piezoresistance in heavily doped n-silicon crystals
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2013)

Features of piezoresistance in heavily doped n-silicon crystals
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2013)

Configuration transitions of divacancies in silicon and germanium
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2013)

Changes in Hall parameters after -irradiation (60So) of n-Ge
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2011)

Changes in Hall parameters after γ-irradiation (⁶⁰Со) of n-Ge
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2011)

Modification of radiation defects in Si and Ge by background impurity
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2013)

Dependence of minority charge carriers lifetime on point defects type and their concentration in single-crystal silicon
за авторством: Zaitsev, R.V., та інші
Опубліковано: (2011)