Кремнієві р-МОН та n-МОН транзистори з одновісно деформованими каналами у нанотехнології електронних приладів
Розглянуто вплив одновісного тиску на рухливість носіїв струму у кристалах n-Si та p-Si, який використовується при виготовленні n-МОН та p-МОН транзисторів. Представлено залежності поздовжнього і поперечного тензорезистивних (ТР) ефектів, отримано у кремнії p-типу для головних кристалографічних оріє...
Gespeichert in:
| Datum: | 2022 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian English |
| Veröffentlicht: |
Publishing house "Academperiodika"
2022
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022027 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |